规格书 |
BF421, 23 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 2,000 |
晶体管类型 | PNP |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 500mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 250V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 500mV @ 2mA, 20mA |
电流 - 集电极截止(最大) | - |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 50 @ 25mA, 20V |
功率 - 最大 | 830mW |
频率转换 | 60MHz |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
供应商器件封装 | TO-92-3 |
包装材料 | Tape & Box (TB) |
包装 | 3TO-92 |
类型 | PNP |
引脚数 | 3 |
最大集电极发射极电压 | 250 V |
集电极最大直流电流 | 0.5 A |
最小直流电流增益 | 50@25mA@20V |
最大工作频率 | 60(Min) MHz |
最大集电极发射极饱和电压 | 0.5@2mA@20mA V |
工作温度 | -55 to 150 °C |
最大功率耗散 | 830 mW |
安装 | Through Hole |
标准包装 | Ammo Pack |
集电极最大直流电流 | 0.5 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
标准包装名称 | TO-92 |
最低工作温度 | -55 |
最大功率耗散 | 830 |
最大基地发射极电压 | 5 |
Maximum Transition Frequency | 60(Min) |
封装 | Ammo |
每个芯片的元件数 | 1 |
最大集电极基极电压 | 250 |
供应商封装形式 | TO-92 |
最大集电极发射极电压 | 250 |
铅形状 | Formed |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 500mA |
晶体管类型 | PNP |
安装类型 | Through Hole |
频率 - 转换 | 60MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 500mV @ 2mA, 20mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 250V |
供应商设备封装 | TO-92-3 |
功率 - 最大 | 830mW |
封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 50 @ 25mA, 20V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 | BF423ZL1GOSCT |
类别 | Bipolar Small Signal |
配置 | Single |
外形尺寸 | 5.33 x 5.2 x 4.19mm |
身高 | 5.33mm |
长度 | 5.2mm |
最大的基射极饱和电压 | 2 V |
最大集电极基极电压 | 250 V |
最大基地发射极电压 | 5 V |
最高工作温度 | +150 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
包装类型 | TO-92 |
宽度 | 4.19mm |
工厂包装数量 | 2000 |
集电极 - 发射极饱和电压 | - 0.5 V |
产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
晶体管极性 | PNP |
发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
直流集电极/增益hfe最小值 | 50 at 25 mA at 20 V |
增益带宽产品fT | 60 MHz |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | - 250 V |
安装风格 | Through Hole |
集电极 - 基极电压VCBO | - 250 V |
RoHS | RoHS Compliant |
连续集电极电流 | - 0.05 A |
集电极电流(DC ) | 0.5 A |
集电极 - 基极电压 | 250 V |
集电极 - 发射极电压 | 250 V |
发射极 - 基极电压 | 5 V |
频率 | 60 MHz |
功率耗散 | 0.83 W |
工作温度范围 | -55C to 150C |
元件数 | 1 |
直流电流增益 | 50 |
工作温度分类 | Military |
弧度硬化 | No |
Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :250V |
Transition Frequency ft | :60MHz |
功耗 | :830mW |
DC Collector Current | :100mA |
DC Current Gain hFE | :50 |
Operating Temperature Min | :-55°C |
Operating Temperature Max | :150°C |
Transistor Case Style | :TO-92 |
No. of Pins | :3 |
MSL | :MSL 1 - Unlimited |
SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
Collector Emitter Voltage Vces | :500mV |
连续集电极电流Ic最大 | :100mA |
Current Ic @ Vce Sat | :20mA |
Current Ic Continuous a Max | :100mA |
Current Ic hFE | :25mA |
Device Marking | :BF423Z |
Full Power Rating Temperature | :25°C |
Gain Bandwidth ft Min | :60MHz |
Gain Bandwidth ft Typ | :60MHz |
Hfe Min | :50 |
No. of Transistors | :1 |
工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
引脚配置 | :h |
Power Dissipation Ptot Max | :830mW |
Voltage Vcbo | :250V |
Weight (kg) | 0.0002 |
Tariff No. | 85412900 |
associated | 1399075-M MPX02P |
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