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图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 BF421, 23 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 2,000 |
| 晶体管类型 | PNP |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 500mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 250V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 500mV @ 2mA, 20mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 50 @ 25mA, 20V |
| 功率 - 最大 | 830mW |
| 频率转换 | 60MHz |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 包装材料 | Tape & Box (TB) |
| 包装 | 3TO-92 |
| 类型 | PNP |
| 引脚数 | 3 |
| 最大集电极发射极电压 | 250 V |
| 集电极最大直流电流 | 0.5 A |
| 最小直流电流增益 | 50@25mA@20V |
| 最大工作频率 | 60(Min) MHz |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.5@2mA@20mA V |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 830 mW |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Ammo Pack |
| 集电极最大直流电流 | 0.5 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | TO-92 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大功率耗散 | 830 |
| 最大基地发射极电压 | 5 |
| Maximum Transition Frequency | 60(Min) |
| 封装 | Ammo |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 250 |
| 供应商封装形式 | TO-92 |
| 最大集电极发射极电压 | 250 |
| 铅形状 | Formed |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 500mA |
| 晶体管类型 | PNP |
| 安装类型 | Through Hole |
| 频率 - 转换 | 60MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 500mV @ 2mA, 20mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 250V |
| 供应商设备封装 | TO-92-3 |
| 功率 - 最大 | 830mW |
| 封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 50 @ 25mA, 20V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | BF423ZL1GOSCT |
| 类别 | Bipolar Small Signal |
| 配置 | Single |
| 外形尺寸 | 5.33 x 5.2 x 4.19mm |
| 身高 | 5.33mm |
| 长度 | 5.2mm |
| 最大的基射极饱和电压 | 2 V |
| 最大集电极基极电压 | 250 V |
| 最大基地发射极电压 | 5 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | TO-92 |
| 宽度 | 4.19mm |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | - 0.5 V |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 晶体管极性 | PNP |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 50 at 25 mA at 20 V |
| 增益带宽产品fT | 60 MHz |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | - 250 V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 集电极 - 基极电压VCBO | - 250 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | - 0.05 A |
| 集电极电流（DC ） | 0.5 A |
| 集电极 - 基极电压 | 250 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 250 V |
| 发射极 - 基极电压 | 5 V |
| 频率 | 60 MHz |
| 功率耗散 | 0.83 W |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 元件数 | 1 |
| 直流电流增益 | 50 |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :250V |
| Transition Frequency ft | :60MHz |
| 功耗 | :830mW |
| DC Collector Current | :100mA |
| DC Current Gain hFE | :50 |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :TO-92 |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Collector Emitter Voltage Vces | :500mV |
| 连续集电极电流Ic最大 | :100mA |
| Current Ic @ Vce Sat | :20mA |
| Current Ic Continuous a Max | :100mA |
| Current Ic hFE | :25mA |
| Device Marking | :BF423Z |
| Full Power Rating Temperature | :25°C |
| Gain Bandwidth ft Min | :60MHz |
| Gain Bandwidth ft Typ | :60MHz |
| Hfe Min | :50 |
| No. of Transistors | :1 |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| 引脚配置 | :h |
| Power Dissipation Ptot Max | :830mW |
| Voltage Vcbo | :250V |
| Weight (kg) | 0.0002 |
| Tariff No. | 85412900 |
| associated | 1399075-M MPX02P |
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